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MCH5908G-TL-EOSCT-ND

型号 :
MCH5908G-TL-E
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 300mV @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 10.5pF @ 5V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 10mA @ 5V
供应商器件封装 5-MCPH
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 5-SMD,扁平引线
漏极电流(Id) - 最大值 50mA
漏源极电压(Vdss)
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
电阻 - RDS(开)
-
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