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VS-GT100TP120N-ND

型号 :
VS-GT100TP120N
制造商 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
简介 :
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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IGBT 类型 沟道
NTC 热敏电阻
不同 Vce 时的输入电容(Cies) 12.8nF @ 30V
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.35V @ 15V,100A
供应商器件封装 INT-A-PAK
功率 - 最大值 652W
安装类型 底座安装
封装/外壳 INT-A-PAK(3 + 4)
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极截止(最大值) 5mA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 180A
输入 标准
配置 半桥
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