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1014-1217-ND

型号 :
ALD1101BSAL
制造商 :
Advanced Linear Devices Inc.
简介 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 2 N 沟道(双)配对
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
供应商器件封装 8-SOIC
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 10.6V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40mA
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