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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2720pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 70nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 60 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 26A，17A |
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