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DMN1250UFEL-7DITR-ND

型号 :
DMN1250UFEL-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 8 N 沟道,共栅,共源
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 190pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.9nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 450 毫欧 @ 200mA,4.5V
供应商器件封装 U-QFN1515-12
功率 - 最大值 660mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 12-UFQFN 裸露焊盘
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A
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