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| FET 功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
|
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2090pF @ 20V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 41nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 136 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220ML |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 12A（Ta） |
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