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1242-1318-ND

型号 :
GA10SICP12-263
制造商 :
GeneSiC Semiconductor
简介 :
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 碳化硅 (SiC)
FET 类型 Junction Transistor, Normally Off
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1403pF @ 800V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 10A
供应商器件封装 D2PAK(7-Lead)
功率 - 最大值 170W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
工作温度 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc)
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