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IXTY1R4N60P-ND

型号 :
IXTY1R4N60P
制造商 :
IXYS
简介 :
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
PDF :
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库存 :
批量库存
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 140pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 5.2nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9 欧姆 @ 700mA,10V
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
功率 - 最大值 50W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.4A(Tc)
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