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SI4431CDY-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SI4431CDY-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
PDF :
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库存 :
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单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1006pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 38nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 7A,10V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 4.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc)
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